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Simulation und Herstellung siliziumbasierter integriert-optischer Sternkoppler

Simulation und Herstellung siliziumbasierter integriert-optischer Sternkoppler
Über dieses Buch
  • Art: Diplomarbeit
  • Autor: Christian Henke
  • Abgabedatum: Mai 1996
  • Umfang: 86 Seiten
  • Dateigröße: 3,5 MB
  • Note: 1,0
  • Institution / Hochschule: Technische Universität Dortmund Deutschland
  • ISBN (eBook): 978-3-8324-0599-1
  • ISBN (Paperback) :
    978-3-8324-0599-1 P
  • ISBN (CD) :978-3-8324-0599-1 CD
  • Sprache: Deutsch
  • Prämierung:
  • Arbeit zitieren: Henke, Christian Mai 1996: Simulation und Herstellung siliziumbasierter integriert-optischer Sternkoppler, Hamburg: Diplomica Verlag
  • Schlagworte:

Diplomarbeit von Christian Henke

Einleitung:

Die optische Nachrichtentechnik gewinnt in der Telekommunikation mit dem wachsenden Bedarf an hohen Übertragungsraten und der Globalisierung der Informationsverarbeitung an Bedeutung. Die Bauteile der integrierten Optik sind aufgrund ihrer Anwendungsmöglichkeiten innerhalb der optischen Nachrichtentechnik von großem Interesse, da bei Verteilungs- und Schaltfunktionen auf die Umwandlung in elektrische Signale verzichtet werden kann.

Das im Rahmen dieser Diplomarbeit betrachtete Bauteil, der passive optische Sternkoppler, findet vorwiegend in lokalen Netzen seine Anwendung.

Die hierbei verwendbaren Materialien müssen gewährleisten, dass die Lichtwellenleiter geringe Übertragungsverluste durch Dämpfung und Dispersion besitzen und reproduzierbar herzustellen sind. Die Möglichkeit der Kopplung an andere optische Komponenten wie Glasfasern, Lichtquellen und Photodetektoren ist ebenso wichtig. Diese Forderungen erfüllen verschiedene Substratmaterialien wie z. B. Glas, Polymere und nicht zuletzt Silizium.

Die Herstellung des Sternkopplers auf Siliziumsubstrat hat verschiedene Vorteile. Standardsiliziumwafer besitzen eine qualitativ hochwertige Oberfläche und sind deshalb ein geeignetes Substrat für optische Wellenleiter. Die Siliziumtechnologie ist gut erforscht und zur Abscheidung und Strukturierung der Lichtwellenleiterschichten kann auf Verfahren der Halbleitertechnologie zurückgegriffen werden. Ein weiterer Vorteil ist das einfach herzustellende, arteigene Oxid des Siliziums mit guten optischen Eigenschaften.

Aufgrund des großen finanziellen und zeitlichen Aufwandes ist es sinnvoll, vor der technologischen Realisierung eine simulatorische Opitimierung durchzuführen. Aus diesem Grund teilt sich diese Diplomarbeit zu etwa gleichen Teilen in einen simulatorischen und einen technologischen bzw. messtechnischen Teil auf.

Ziel dieser Diplomarbeit ist es, einen integriert optischen Sternkoppler auf Siliziumsubstrat herzustellen, der unabhängig von der Wahl des Einkoppelwellenleiters die eingekoppelte Leistung gleichmäßig auf alle Ausgangswellenleiter verteilt.

Inhaltsverzeichnis:

1. Einleitung 4
2. Der passive, optische Sternkoppler 5
2.1 Verwendungsmöglichkeiten von optischen Sternkopplern 5
2.1.1 Einsatz in sternartigen Netzen 5
2.1.2 Aufbau eines integriert-optischen 8x8-Sternkopplers 6
2.1.3 Einsatz in integriert-optischen Frequenzmultiplexern 9
2.1.4 Aufbau eines in Multiplexern verwendeten 8x20 Sternkopplers 10
3. Simulation der Sternkoppler 13
3.1 Simulationsverfahren 13
3.1.1 Wide-Angel Beam Propagation Method (WABPM) 14
3.2 Simulation von 8x8 Sternkopplern 15
3.2.1 Verschiedene Parameter der Simulation 15
3.2.2 Ausgangspunkt für die Simulation 19
3.2.3 Variation des Radius R1 bzw. R2 23
3.2.4 Variation des Abstandes d zwischen den Wellenleitern 26
3.2.5 Variation der Taper 27
3.2.6 Der optimierte 8x8 Sternkoppler 27
3.2.7 Anpassung des optimierten 8x8-PECVD-Sternkopplers an technologische Bedingungen 29
3.2.8 Simulation von Sternkopplern mit S-Bends 31
3.3 Simulation von FHD-Sternkopplern zur Verwendung in optischen Multiplexern 34
4. Maskenherstellung 37
4.1 Layouterstellung 37
4.1.1 Erzeugung einer AutoCAD lesbaren Script-Datei 37
4.1.2 Layout der Maskenstrukturen in den verschiedenen Feldern 40
5. Technologie 43
5.1 Technologieübersicht 43
5.2 Herstellung der lichtführenden Schicht 43
5.3 Photolithographie 45
5.4 RIE-Ätzen der lichtführenden Schicht 48
5.5 Deposition der Deckschicht 49
5.6 Sägen der Wafer 50
6. Messergebnisse 54
6.1 Dämpfungsmessung 54
6.1.1 Durchführung einer Dämpfungsmessung 55
6.2 Dämpfung gerader Wellenleiter der Schichtdicke 0,61µm 56
6.3 Dämpfung gerader Wellenleiter der Schichtdicke 0,35µm 57
6.4 Dämpfung eines Sternkopplers der Schichtdicke 0,6µm 58
6.5 Vergleich der Sternkopplerfunktion bei 1,3µm und 1,55µm Wellenlänge 63
6.6 Dämpfungsmessung an einem Sternkoppler der Schichtdicke 0,35µm 66
7. Zusammenfassung und Ausblick 70
8. Literaturverzeichnis 72
9. Anhang 73
9.1 Verwendete Variablen 73
9.2 Messergebnisse 74

Arbeit zitieren:
Henke, Christian Mai 1996: Simulation und Herstellung siliziumbasierter integriert-optischer Sternkoppler, Hamburg: Diplomica Verlag

Schlagworte:

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