Simulation und Herstellung siliziumbasierter integriert-optischer Sternkoppler
- Art: Diplomarbeit
- Autor: Christian Henke
- Abgabedatum: Mai 1996
- Umfang: 86 Seiten
- Dateigröße: 3,5 MB
- Note: 1,0
- Institution / Hochschule: Technische Universität Dortmund Deutschland
- ISBN (eBook): 978-3-8324-0599-1
-
ISBN (Paperback) :
978-3-8324-0599-1 P - ISBN (CD) :978-3-8324-0599-1 CD
- Sprache: Deutsch
- Prämierung:
- Arbeit zitieren: Henke, Christian Mai 1996: Simulation und Herstellung siliziumbasierter integriert-optischer Sternkoppler, Hamburg: Diplomica Verlag
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Diplomarbeit von Christian Henke
Einleitung:
Die optische Nachrichtentechnik gewinnt in der Telekommunikation mit dem wachsenden Bedarf an hohen Übertragungsraten und der Globalisierung der Informationsverarbeitung an Bedeutung. Die Bauteile der integrierten Optik sind aufgrund ihrer Anwendungsmöglichkeiten innerhalb der optischen Nachrichtentechnik von großem Interesse, da bei Verteilungs- und Schaltfunktionen auf die Umwandlung in elektrische Signale verzichtet werden kann.
Das im Rahmen dieser Diplomarbeit betrachtete Bauteil, der passive optische Sternkoppler, findet vorwiegend in lokalen Netzen seine Anwendung.
Die hierbei verwendbaren Materialien müssen gewährleisten, dass die Lichtwellenleiter geringe Übertragungsverluste durch Dämpfung und Dispersion besitzen und reproduzierbar herzustellen sind. Die Möglichkeit der Kopplung an andere optische Komponenten wie Glasfasern, Lichtquellen und Photodetektoren ist ebenso wichtig. Diese Forderungen erfüllen verschiedene Substratmaterialien wie z. B. Glas, Polymere und nicht zuletzt Silizium.
Die Herstellung des Sternkopplers auf Siliziumsubstrat hat verschiedene Vorteile. Standardsiliziumwafer besitzen eine qualitativ hochwertige Oberfläche und sind deshalb ein geeignetes Substrat für optische Wellenleiter. Die Siliziumtechnologie ist gut erforscht und zur Abscheidung und Strukturierung der Lichtwellenleiterschichten kann auf Verfahren der Halbleitertechnologie zurückgegriffen werden. Ein weiterer Vorteil ist das einfach herzustellende, arteigene Oxid des Siliziums mit guten optischen Eigenschaften.
Aufgrund des großen finanziellen und zeitlichen Aufwandes ist es sinnvoll, vor der technologischen Realisierung eine simulatorische Opitimierung durchzuführen. Aus diesem Grund teilt sich diese Diplomarbeit zu etwa gleichen Teilen in einen simulatorischen und einen technologischen bzw. messtechnischen Teil auf.
Ziel dieser Diplomarbeit ist es, einen integriert optischen Sternkoppler auf Siliziumsubstrat herzustellen, der unabhängig von der Wahl des Einkoppelwellenleiters die eingekoppelte Leistung gleichmäßig auf alle Ausgangswellenleiter verteilt.
Inhaltsverzeichnis:
| 1. | Einleitung | 4 |
| 2. | Der passive, optische Sternkoppler | 5 |
| 2.1 | Verwendungsmöglichkeiten von optischen Sternkopplern | 5 |
| 2.1.1 | Einsatz in sternartigen Netzen | 5 |
| 2.1.2 | Aufbau eines integriert-optischen 8x8-Sternkopplers | 6 |
| 2.1.3 | Einsatz in integriert-optischen Frequenzmultiplexern | 9 |
| 2.1.4 | Aufbau eines in Multiplexern verwendeten 8x20 Sternkopplers | 10 |
| 3. | Simulation der Sternkoppler | 13 |
| 3.1 | Simulationsverfahren | 13 |
| 3.1.1 | Wide-Angel Beam Propagation Method (WABPM) | 14 |
| 3.2 | Simulation von 8x8 Sternkopplern | 15 |
| 3.2.1 | Verschiedene Parameter der Simulation | 15 |
| 3.2.2 | Ausgangspunkt für die Simulation | 19 |
| 3.2.3 | Variation des Radius R1 bzw. R2 | 23 |
| 3.2.4 | Variation des Abstandes d zwischen den Wellenleitern | 26 |
| 3.2.5 | Variation der Taper | 27 |
| 3.2.6 | Der optimierte 8x8 Sternkoppler | 27 |
| 3.2.7 | Anpassung des optimierten 8x8-PECVD-Sternkopplers an technologische Bedingungen | 29 |
| 3.2.8 | Simulation von Sternkopplern mit S-Bends | 31 |
| 3.3 | Simulation von FHD-Sternkopplern zur Verwendung in optischen Multiplexern | 34 |
| 4. | Maskenherstellung | 37 |
| 4.1 | Layouterstellung | 37 |
| 4.1.1 | Erzeugung einer AutoCAD lesbaren Script-Datei | 37 |
| 4.1.2 | Layout der Maskenstrukturen in den verschiedenen Feldern | 40 |
| 5. | Technologie | 43 |
| 5.1 | Technologieübersicht | 43 |
| 5.2 | Herstellung der lichtführenden Schicht | 43 |
| 5.3 | Photolithographie | 45 |
| 5.4 | RIE-Ätzen der lichtführenden Schicht | 48 |
| 5.5 | Deposition der Deckschicht | 49 |
| 5.6 | Sägen der Wafer | 50 |
| 6. | Messergebnisse | 54 |
| 6.1 | Dämpfungsmessung | 54 |
| 6.1.1 | Durchführung einer Dämpfungsmessung | 55 |
| 6.2 | Dämpfung gerader Wellenleiter der Schichtdicke 0,61µm | 56 |
| 6.3 | Dämpfung gerader Wellenleiter der Schichtdicke 0,35µm | 57 |
| 6.4 | Dämpfung eines Sternkopplers der Schichtdicke 0,6µm | 58 |
| 6.5 | Vergleich der Sternkopplerfunktion bei 1,3µm und 1,55µm Wellenlänge | 63 |
| 6.6 | Dämpfungsmessung an einem Sternkoppler der Schichtdicke 0,35µm | 66 |
| 7. | Zusammenfassung und Ausblick | 70 |
| 8. | Literaturverzeichnis | 72 |
| 9. | Anhang | 73 |
| 9.1 | Verwendete Variablen | 73 |
| 9.2 | Messergebnisse | 74 |
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Link zur Arbeit:
http://www.diplom.de/ean/9783832405991
Arbeit zitieren:
Henke, Christian Mai 1996: Simulation und Herstellung siliziumbasierter integriert-optischer Sternkoppler, Hamburg: Diplomica Verlag
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