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Optimierung der Plasmaparameter zur Abscheidung von kubischem Bornitrid in Hohlkatodenbogen

Optimierung der Plasmaparameter zur Abscheidung von kubischem Bornitrid in Hohlkatodenbogen
Über dieses Buch
  • Art: Diplomarbeit
  • Autor: Jochen Ulmer
  • Abgabedatum: November 1995
  • Umfang: 143 Seiten
  • Dateigröße: 6,8 MB
  • Note: 1,0
  • Institution / Hochschule: Universität Stuttgart Deutschland
  • ISBN (eBook): 978-3-8324-1737-6
  • ISBN (Paperback) :
    978-3-8324-1737-6 P
  • ISBN (CD) :978-3-8324-1737-6 CD
  • Sprache: Deutsch
  • Prämierung:
  • Arbeit zitieren: Ulmer, Jochen November 1995: Optimierung der Plasmaparameter zur Abscheidung von kubischem Bornitrid in Hohlkatodenbogen, Hamburg: Diplomica Verlag
  • Schlagworte: Hohlkathodenbogen, PVD, Abscheidebedingungen, C-BM

Diplomarbeit von Jochen Ulmer

Einleitung:

Die immer größer werdenden industriellen Anforderungen an die verwendeten Werkstoffe, sowie die Tendenz immer billiger zu produzieren, verlangen nach neuen Herstellungs- und Veredelungsmethoden einerseits, andererseits aber nach immer sparsamerem Einsatz der teuren Ausgangsprodukte.

Diese zwei Gesichtspunkte lenkten die Entwicklung in Richtung neuartiger, innovativer Materialien und deren Herstellungsmethoden.

Die beiden wichtigsten Vertreter der neuen Materialien sind der Diamant und das kubische Bornitrid, die bisher härtesten bekannten Stoffe. Wurde lange Zeit besonderes Augenmerk auf die Erforschung des Diamants gelegt, so ist seit dem letzten Jahrzehnt eine rasante Entwicklung bei der Untersuchung des kubischen Bornitrids zu beobachten. Es zeigte sich, daß es dem Diamant in vielen Eigenschaften wie außergewöhnlich hoher Härte, hoher optischer Transparenz sowie chemischer Beständigkeit ebenbürtig ist. In anderen Eigenschaften jedoch, zum Beispiel der höheren Beständigkeit gegen Sauerstoff unter Temperatureinwirkung und dem geringeren Verschleiß bei der Bearbeitung von Metallegierungen im Vergleich zum Karbidbildner Diamant ist kubisches Bornitrid ihm weit überlegen. Der wohl wichtigste Vorteil des kubischen Bornitrids ist die Möglichkeit, den Kristall sowohl p- als auch n- zu dotieren. Beim Diamant ist es bis heute nicht gelungen, eine n-Dotierung zu erreichen. Die Bandstruktur des kubischen Bornitrids ermöglicht direkte Übergänge und läßt so an die Entwicklung photoaktiver Halbleiterbauelemente für den UV-Bereich denken. Der große Bandabstand erlaubt den Einsatz von kubischen Bornitridschichten als Isolatormaterial.

Die Beschichtung von Oberflächen, sei es als Verschleißschutz (Bohrer, Fräser) oder lediglich als Schutz vor schädlicher Fremdeinwirkung (Gläser, optische Bauteile, Bauteile in chemisch ätzenden Umgebungen) ist vor allem in Hinblick auf den vergleichsweise geringen Materialeinsatz (die Schichten müssen lediglich wenige Mikrometer dick sein) von Bedeutung.

Obwohl weltweit seit über einem Jahrzehnt intensiv die Herstellung kubischer Bornitridschichten erforscht wird, ist es bis zu diesem Zeitpunkt nur wenigen Forschungseinrichtungen gelungen, Schichten hoher Phasenreinheit zu synthetisieren.

Die vorliegende Arbeit untersucht die Möglichkeit der Abscheidung kubischer Bornitridschichten im Hohlkatodenbogenverdampfer. Außerdem soll die Frage geklärt werden, ob die aus der Titanabscheidung mit Hilfe des Hohlkatodenbogens bereits bekannten hohen Abscheideraten auch bei der Herstellung von kubischen Bornitridschichten erreichbar sind, denn bei einer möglichen Skalierung auf industrielle Dimensionen ist dies ein wichtiger Gesichtspunkt.

Es werden die Parameterbereiche für die Existenz der kubischen Phase in Bezug auf die Plasmakenngrößen ermittelt. Außerdem wird deren Einfluß auf die Schichtbildung untersucht. Die erzielten Ergebnisse werden im Licht der zur Zeit diskutierten Wachstumsmodelle betrachtet.

Gang der Untersuchung:

Im ersten Kapitel werden die physikalischen Grundlagen der BN-Modifikationen wie Bindungstyp und Gitterstruktur dargestellt. Das zweite Kapitel gibt eine Übersicht über die bereits bekannten Abscheideverfahren zur Herstellung von kubischen Bornitridschichten, sowie die mit diesen Methoden erzielten Ergebnisse. Das dritte Kapitel beschäftigt sich detailliert mit dem Hohlkatodenbogenverdampfer und der in dieser Arbeit verwendeten Apparatur. Außerdem werden der Beschichtungsablauf, die Schichtcharakterisierung, sowie die Messergebnisse vorgestellt. Im vierten Kapitel werden die Ergebnisse der vorliegenden Arbeit im Licht der existierenden Wachstumsmodelle betrachtet. Es wird versucht, die in der Literatur sehr breit gefächerten Vorstellungen des Aufwachsprozesses von Bornitridschichten und der hierbei wirksamen physikalischen Prozesse mit Hilfe der im Rahmen der vorliegenden Arbeit gewonnenen Erkenntnisse so zu vereinen, daß ein schlüssiges Bild der während der Beschichtung ablaufenden Vorgänge entsteht.

Schließlich wird in einer Zusammenfassung die hier angewandte Beschichtungstechnik bewertet und ein Ausblick auf die zukünftigen Untersuchungen gegeben.

Inhaltsverzeichnis:

I. THEORETISCHE GRUNDLAGEN
I.1 Einführung 7
I.2 Das hexagonale Bornitrid (h-BN) 7
I.2.1 Kristallstruktur und Bindungstyp 7
I.2.2 Gitterschwingungen von h-BN 9
I.3 Das kubische Bornitrid (c-BN) 12
I.3.1 Kristallstruktur und Bindungstyp 12
I.3.2 Gitterschwingungen von c-BN 13
I.3.3 Thermodynamische Betrachtungen 14
I.4 Die Schichtbildungsmodelle 17
I.4.1 Einführung 17
I.4.3 Das Sputtermodell 17
I.4.3 Das Stressmodell 21
I.4.4 Das Subplantationsmodell 25
II. HERSTELLUNGSVERFAHREN 11
II.1 Einführung 28
II.2 Die CVD-Methoden 28
II.2.1 Das thermisch aktivierte RF-PACVD- Verfahren 29
II.2.2 Das ICP-CVD-Verfahren 30
II.2.3 Das MW-CVD-Verfahren 30
II.3 Die PVD-Methoden 32
II.3.1 Das IBAD-Verfahren 32
II.3.2 Die HF-Diodenzerstäubung 34
II.3.3 Das Magnetronsputtern 35
II.3.4 Die Laserablation 36
II.3.5 Die reaktive Verdampfung 36
III. EXPERIMENT
III.1 Der Hohlkatodenbogenverdampfer 38
III.2 Die Plasmadiagnostik 40
III.3 Die Apparatur 44
III.4 Der Beschichtungsvorgang 46
III.5 Die Diagnostik 49
III.5.1 Die Fourierspektroskopie 49
III.5.1.1 Die Grundlagen 49
III.5.1.2 Anwendung des Fourierspektrometers 50
III.5.2 Die Schichtdickenbestimmung 52
III.5.2.1 Die mechanische Schichtdickenbestimmung 52
III.5.2.2 Die spektrometrische Schichtdickenbestimmung 53
III.5.2.3 Die ellipsometrische Schichtdickenbestimmung 55
III.5.3 Die Transmissions-Elektronen-Mikroskopie 56
III.6 Die Messreihen
III.6.1 Einführung 58
III.6.2 Die Abscheidung reiner h-BN-Schichten 58
III.6.2.1 Variation des Stickstoffpartialdruckes 58
III.6.2.2 Variation des Substratspannung 65
III.6.2.3 Variation der Substrattemperatur 70
III.6.3 Die Abscheidung von c-BN-haltigen Schichten 73
III.6.3.1 Variation des Stickstoffpartialdruckes 73
III.6.3.2 Variation des Substratspannung 74
III.6.3.3 Variation der Substrattemperatur 78
III.6.3.4 Variation der Verdampferleistung 81
III.6.3.5 Variation der Beschichtungszeit 84
III.6.3.6 Variation des Argonpartialdruckes 86
III.6.3.7 Abscheidung von c-BN-Schichten auf verschiedenen Substraten 93
III.6.3.8 Abscheidung von c-BN-Schichten mit Graphittiegel 95
III.6.3.9 Untersuchung zur Haftfestigkeit der Schichten 95
III.6.4 Fehlerabschätzung 96
III.6.5 Auswertung der TEM-Aufnahme 99
IV. VERGLEICH MIT MODELLEN
IV.1 Einleitung 101
IV.2 Berechnung der kompressiven Schichtspannungen 101
IV.3 Einfluß der Beschichtungsparameter auf die kompressive Schichtspannung 103
IV.3.1 Berechnung der Schichtspannungen 103
IV.3.2 Entstehung der Schichtspannung unter dem Einfluß der Substratspannung 104
IV.3.3 Einfluß der Substrattemperatur auf die Schichtspannung 106
IV.3.4 Das Thermal-Spike-Modell und das BN-Phasendiagramm 108
IV.3.5 Einfluß der Ionendichte auf die Schichtspannung 112
IV.3.6 Einfluß des lmpulsübertrages auf die Bildung von c-BN 113
IV.3.7 Einfluß des Ionenbeschusses auf die Textur der Schichten 115
IV.3.8 Einfluß der Beschichtungszeit auf die Textur der Schichten 116
IV.3.9 Untersuchung der Halbwertsbreiten 118
IV.3.10 Untersuchung zur Haftfestigkeit der Schichten 121
IV.4 Einordnung der Ergebnisse in das Sputtermodell 122
V. ZUSAMMENFASSUNG 127
VI. ANHANG
VI.1 Referenzliste 130
VI.2 Ableitung der Bor-Auftreffrate 134
VI.3 Das Schichtbildungsmodell von Bennett 136

Arbeit zitieren:
Ulmer, Jochen November 1995: Optimierung der Plasmaparameter zur Abscheidung von kubischem Bornitrid in Hohlkatodenbogen, Hamburg: Diplomica Verlag

Schlagworte:
Hohlkathodenbogen, PVD, Abscheidebedingungen, C-BM

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