Optimierung der Plasmaparameter zur Abscheidung von kubischem Bornitrid in Hohlkatodenbogen
- Art: Diplomarbeit
- Autor: Jochen Ulmer
- Abgabedatum: November 1995
- Umfang: 143 Seiten
- Dateigröße: 6,8 MB
- Note: 1,0
- Institution / Hochschule: Universität Stuttgart Deutschland
- ISBN (eBook): 978-3-8324-1737-6
-
ISBN (Paperback) :
978-3-8324-1737-6 P - ISBN (CD) :978-3-8324-1737-6 CD
- Sprache: Deutsch
- Prämierung:
- Arbeit zitieren: Ulmer, Jochen November 1995: Optimierung der Plasmaparameter zur Abscheidung von kubischem Bornitrid in Hohlkatodenbogen, Hamburg: Diplomica Verlag
- Schlagworte: Hohlkathodenbogen, PVD, Abscheidebedingungen, C-BM
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Diplomarbeit von Jochen Ulmer
Einleitung:
Die immer größer werdenden industriellen Anforderungen an die verwendeten Werkstoffe, sowie die Tendenz immer billiger zu produzieren, verlangen nach neuen Herstellungs- und Veredelungsmethoden einerseits, andererseits aber nach immer sparsamerem Einsatz der teuren Ausgangsprodukte.
Diese zwei Gesichtspunkte lenkten die Entwicklung in Richtung neuartiger, innovativer Materialien und deren Herstellungsmethoden.
Die beiden wichtigsten Vertreter der neuen Materialien sind der Diamant und das kubische Bornitrid, die bisher härtesten bekannten Stoffe. Wurde lange Zeit besonderes Augenmerk auf die Erforschung des Diamants gelegt, so ist seit dem letzten Jahrzehnt eine rasante Entwicklung bei der Untersuchung des kubischen Bornitrids zu beobachten. Es zeigte sich, daß es dem Diamant in vielen Eigenschaften wie außergewöhnlich hoher Härte, hoher optischer Transparenz sowie chemischer Beständigkeit ebenbürtig ist. In anderen Eigenschaften jedoch, zum Beispiel der höheren Beständigkeit gegen Sauerstoff unter Temperatureinwirkung und dem geringeren Verschleiß bei der Bearbeitung von Metallegierungen im Vergleich zum Karbidbildner Diamant ist kubisches Bornitrid ihm weit überlegen. Der wohl wichtigste Vorteil des kubischen Bornitrids ist die Möglichkeit, den Kristall sowohl p- als auch n- zu dotieren. Beim Diamant ist es bis heute nicht gelungen, eine n-Dotierung zu erreichen. Die Bandstruktur des kubischen Bornitrids ermöglicht direkte Übergänge und läßt so an die Entwicklung photoaktiver Halbleiterbauelemente für den UV-Bereich denken. Der große Bandabstand erlaubt den Einsatz von kubischen Bornitridschichten als Isolatormaterial.
Die Beschichtung von Oberflächen, sei es als Verschleißschutz (Bohrer, Fräser) oder lediglich als Schutz vor schädlicher Fremdeinwirkung (Gläser, optische Bauteile, Bauteile in chemisch ätzenden Umgebungen) ist vor allem in Hinblick auf den vergleichsweise geringen Materialeinsatz (die Schichten müssen lediglich wenige Mikrometer dick sein) von Bedeutung.
Obwohl weltweit seit über einem Jahrzehnt intensiv die Herstellung kubischer Bornitridschichten erforscht wird, ist es bis zu diesem Zeitpunkt nur wenigen Forschungseinrichtungen gelungen, Schichten hoher Phasenreinheit zu synthetisieren.
Die vorliegende Arbeit untersucht die Möglichkeit der Abscheidung kubischer Bornitridschichten im Hohlkatodenbogenverdampfer. Außerdem soll die Frage geklärt werden, ob die aus der Titanabscheidung mit Hilfe des Hohlkatodenbogens bereits bekannten hohen Abscheideraten auch bei der Herstellung von kubischen Bornitridschichten erreichbar sind, denn bei einer möglichen Skalierung auf industrielle Dimensionen ist dies ein wichtiger Gesichtspunkt.
Es werden die Parameterbereiche für die Existenz der kubischen Phase in Bezug auf die Plasmakenngrößen ermittelt. Außerdem wird deren Einfluß auf die Schichtbildung untersucht. Die erzielten Ergebnisse werden im Licht der zur Zeit diskutierten Wachstumsmodelle betrachtet.
Gang der Untersuchung:
Im ersten Kapitel werden die physikalischen Grundlagen der BN-Modifikationen wie Bindungstyp und Gitterstruktur dargestellt. Das zweite Kapitel gibt eine Übersicht über die bereits bekannten Abscheideverfahren zur Herstellung von kubischen Bornitridschichten, sowie die mit diesen Methoden erzielten Ergebnisse. Das dritte Kapitel beschäftigt sich detailliert mit dem Hohlkatodenbogenverdampfer und der in dieser Arbeit verwendeten Apparatur. Außerdem werden der Beschichtungsablauf, die Schichtcharakterisierung, sowie die Messergebnisse vorgestellt. Im vierten Kapitel werden die Ergebnisse der vorliegenden Arbeit im Licht der existierenden Wachstumsmodelle betrachtet. Es wird versucht, die in der Literatur sehr breit gefächerten Vorstellungen des Aufwachsprozesses von Bornitridschichten und der hierbei wirksamen physikalischen Prozesse mit Hilfe der im Rahmen der vorliegenden Arbeit gewonnenen Erkenntnisse so zu vereinen, daß ein schlüssiges Bild der während der Beschichtung ablaufenden Vorgänge entsteht.
Schließlich wird in einer Zusammenfassung die hier angewandte Beschichtungstechnik bewertet und ein Ausblick auf die zukünftigen Untersuchungen gegeben.
Inhaltsverzeichnis:
| I. | THEORETISCHE GRUNDLAGEN | |
| I.1 | Einführung | 7 |
| I.2 | Das hexagonale Bornitrid (h-BN) | 7 |
| I.2.1 | Kristallstruktur und Bindungstyp | 7 |
| I.2.2 | Gitterschwingungen von h-BN | 9 |
| I.3 | Das kubische Bornitrid (c-BN) | 12 |
| I.3.1 | Kristallstruktur und Bindungstyp | 12 |
| I.3.2 | Gitterschwingungen von c-BN | 13 |
| I.3.3 | Thermodynamische Betrachtungen | 14 |
| I.4 | Die Schichtbildungsmodelle | 17 |
| I.4.1 | Einführung | 17 |
| I.4.3 | Das Sputtermodell | 17 |
| I.4.3 | Das Stressmodell | 21 |
| I.4.4 | Das Subplantationsmodell | 25 |
| II. | HERSTELLUNGSVERFAHREN | 11 |
| II.1 | Einführung | 28 |
| II.2 | Die CVD-Methoden | 28 |
| II.2.1 | Das thermisch aktivierte RF-PACVD- Verfahren | 29 |
| II.2.2 | Das ICP-CVD-Verfahren | 30 |
| II.2.3 | Das MW-CVD-Verfahren | 30 |
| II.3 | Die PVD-Methoden | 32 |
| II.3.1 | Das IBAD-Verfahren | 32 |
| II.3.2 | Die HF-Diodenzerstäubung | 34 |
| II.3.3 | Das Magnetronsputtern | 35 |
| II.3.4 | Die Laserablation | 36 |
| II.3.5 | Die reaktive Verdampfung | 36 |
| III. | EXPERIMENT | |
| III.1 | Der Hohlkatodenbogenverdampfer | 38 |
| III.2 | Die Plasmadiagnostik | 40 |
| III.3 | Die Apparatur | 44 |
| III.4 | Der Beschichtungsvorgang | 46 |
| III.5 | Die Diagnostik | 49 |
| III.5.1 | Die Fourierspektroskopie | 49 |
| III.5.1.1 | Die Grundlagen | 49 |
| III.5.1.2 | Anwendung des Fourierspektrometers | 50 |
| III.5.2 | Die Schichtdickenbestimmung | 52 |
| III.5.2.1 | Die mechanische Schichtdickenbestimmung | 52 |
| III.5.2.2 | Die spektrometrische Schichtdickenbestimmung | 53 |
| III.5.2.3 | Die ellipsometrische Schichtdickenbestimmung | 55 |
| III.5.3 | Die Transmissions-Elektronen-Mikroskopie | 56 |
| III.6 | Die Messreihen | |
| III.6.1 | Einführung | 58 |
| III.6.2 | Die Abscheidung reiner h-BN-Schichten | 58 |
| III.6.2.1 | Variation des Stickstoffpartialdruckes | 58 |
| III.6.2.2 | Variation des Substratspannung | 65 |
| III.6.2.3 | Variation der Substrattemperatur | 70 |
| III.6.3 | Die Abscheidung von c-BN-haltigen Schichten | 73 |
| III.6.3.1 | Variation des Stickstoffpartialdruckes | 73 |
| III.6.3.2 | Variation des Substratspannung | 74 |
| III.6.3.3 | Variation der Substrattemperatur | 78 |
| III.6.3.4 | Variation der Verdampferleistung | 81 |
| III.6.3.5 | Variation der Beschichtungszeit | 84 |
| III.6.3.6 | Variation des Argonpartialdruckes | 86 |
| III.6.3.7 | Abscheidung von c-BN-Schichten auf verschiedenen Substraten | 93 |
| III.6.3.8 | Abscheidung von c-BN-Schichten mit Graphittiegel | 95 |
| III.6.3.9 | Untersuchung zur Haftfestigkeit der Schichten | 95 |
| III.6.4 | Fehlerabschätzung | 96 |
| III.6.5 | Auswertung der TEM-Aufnahme | 99 |
| IV. | VERGLEICH MIT MODELLEN | |
| IV.1 | Einleitung | 101 |
| IV.2 | Berechnung der kompressiven Schichtspannungen | 101 |
| IV.3 | Einfluß der Beschichtungsparameter auf die kompressive Schichtspannung | 103 |
| IV.3.1 | Berechnung der Schichtspannungen | 103 |
| IV.3.2 | Entstehung der Schichtspannung unter dem Einfluß der Substratspannung | 104 |
| IV.3.3 | Einfluß der Substrattemperatur auf die Schichtspannung | 106 |
| IV.3.4 | Das Thermal-Spike-Modell und das BN-Phasendiagramm | 108 |
| IV.3.5 | Einfluß der Ionendichte auf die Schichtspannung | 112 |
| IV.3.6 | Einfluß des lmpulsübertrages auf die Bildung von c-BN | 113 |
| IV.3.7 | Einfluß des Ionenbeschusses auf die Textur der Schichten | 115 |
| IV.3.8 | Einfluß der Beschichtungszeit auf die Textur der Schichten | 116 |
| IV.3.9 | Untersuchung der Halbwertsbreiten | 118 |
| IV.3.10 | Untersuchung zur Haftfestigkeit der Schichten | 121 |
| IV.4 | Einordnung der Ergebnisse in das Sputtermodell | 122 |
| V. | ZUSAMMENFASSUNG | 127 |
| VI. | ANHANG | |
| VI.1 | Referenzliste | 130 |
| VI.2 | Ableitung der Bor-Auftreffrate | 134 |
| VI.3 | Das Schichtbildungsmodell von Bennett | 136 |
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Link zur Arbeit:
http://www.diplom.de/ean/9783832417376
Arbeit zitieren:
Ulmer, Jochen November 1995: Optimierung der Plasmaparameter zur Abscheidung von kubischem Bornitrid in Hohlkatodenbogen, Hamburg: Diplomica Verlag
Schlagworte:
Hohlkathodenbogen, PVD, Abscheidebedingungen, C-BM



